Si8460/61/62/63
Table 3. Electrical Characteristics
(V DD1 = 5 V±10%, V DD2 = 5 V±10%, T A = –40 to 125 °C; applies to narrow-body SOIC package)
Output Impedance
Parameter
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
Input Leakage Current
1
Symbol
V IH
V IL
V OH
V OL
I L
Z O
Test Condition
loh = –4 mA
lol = 4 mA
Min
2.0
V DD1 ,V DD2 – 0.4
Typ
4.8
0.2
85
Max
0.8
0.4
±10
Unit
V
V
V
V
μA
?
DC Supply Current (All inputs 0 V or at Supply)
Si8460Ax, Bx
V DD1
All inputs 0 DC
1.7
2.6
V DD2
V DD1
V DD2
All inputs 0 DC
All inputs 1 DC
All inputs 1 DC
3.3
7.7
3.5
5.0
11.6
5.3
mA
Si8461Ax, Bx
V DD1
All inputs 0 DC
2.1
3.2
V DD2
V DD1
V DD2
All inputs 0 DC
All inputs 1 DC
All inputs 1 DC
3.4
7.1
4.5
5.1
10.7
6.8
mA
Si8462Ax, Bx
V DD1
All inputs 0 DC
2.5
3.8
V DD2
V DD1
V DD2
All inputs 0 DC
All inputs 1 DC
All inputs 1 DC
3.0
6.5
5.0
4.5
9.8
8.3
mA
Si8463Ax, Bx
V DD1
All inputs 0 DC
2.8
4.2
V DD2
V DD1
V DD2
All inputs 0 DC
All inputs 1 DC
All inputs 1 DC
2.8
6.0
6.0
4.2
9.0
9.0
mA
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 85 ? , ±40%, which is a combination of
the value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
Rev. 1.5
5
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